სხვადასხვა ტიპის უჯრედების დანერგვა

1. ^{უჯრედების შესავალი}

(1) მიმოხილვა:უჯრედები ძირითადი კომპონენტებიაფოტოელექტრული ენერგიის გამომუშავებადა მათი ტექნიკური მარშრუტი და პროცესის დონე პირდაპირ გავლენას ახდენს ელექტროენერგიის გამომუშავების ეფექტურობაზე და ფოტოელექტრული მოდულების მომსახურების ხანგრძლივობაზე.ფოტოელექტრული უჯრედები განლაგებულია ფოტოელექტრული ინდუსტრიის ჯაჭვის შუა მონაკვეთში.ეს არის ნახევარგამტარული თხელი ფურცლები, რომლებსაც შეუძლიათ მზის სინათლის ენერგიის გარდაქმნა ელექტრულ ენერგიად, რომელიც მიიღება ერთი/პოლიკრისტალური სილიკონის ვაფლის დამუშავებით.

პრინციპიფოტოელექტრული ენერგიის გამომუშავებანახევარგამტარების ფოტოელექტრული ეფექტიდან მოდის.განათების საშუალებით წარმოიქმნება პოტენციური განსხვავება ერთგვაროვან ნახევარგამტარებში ან ლითონებთან შერწყმული ნახევარგამტარების სხვადასხვა ნაწილებს შორის.იგი გარდაიქმნება ფოტონებიდან (სინათლის ტალღებიდან) ელექტრონებად და სინათლის ენერგია ელექტრულ ენერგიად ძაბვის შესაქმნელად.და მიმდინარე პროცესი.ზემო დინებაში წარმოებული სილიკონის ვაფლები ვერ ატარებენ ელექტროენერგიას და დამუშავებული მზის უჯრედები განსაზღვრავენ ფოტოელექტრული მოდულების ენერგიის გამომუშავების შესაძლებლობებს.

(2) კლასიფიკაცია:სუბსტრატის ტიპის თვალსაზრისით, უჯრედები შეიძლება დაიყოს ორ ტიპად:P-ტიპის უჯრედები და N-ტიპის უჯრედები.დოპინგ ბორს სილიციუმის კრისტალებში შეუძლია P-ტიპის ნახევარგამტარების დამზადება;დოპინგ ფოსფორს შეუძლია N- ტიპის ნახევარგამტარების შექმნა.P-ტიპის ბატარეის ნედლეული არის P-ტიპის სილიკონის ვაფლი (ბორით გაჟღენთილი), ხოლო N- ტიპის ბატარეის ნედლეული არის N- ტიპის სილიკონის ვაფლი (ფოსფორით დოპირებული).P- ტიპის უჯრედები ძირითადად მოიცავს BSF (ჩვეულებრივი ალუმინის უკანა ველის უჯრედი) და PERC (პასივირებული ემიტერი და უკანა უჯრედი);N- ტიპის უჯრედები ამჟამად უფრო ძირითადი ტექნოლოგიებიაTOPCon(გვირაბის ოქსიდის ფენის პასივაციის კონტაქტი) და HJT (შიდაგანი თხელი ფირის ჰეტერო შეერთება).N ტიპის ბატარეა ატარებს ელექტროენერგიას ელექტრონების მეშვეობით და ბორი-ჟანგბადის ატომის წყვილის მიერ გამოწვეული სინათლის მიერ გამოწვეული შესუსტება ნაკლებია, ამიტომ ფოტოელექტრული კონვერტაციის ეფექტურობა უფრო მაღალია.

3. PERC ბატარეის დანერგვა

(1) მიმოხილვა: PERC ბატარეის სრული სახელია „ემიტერი და უკანა პასივაციის ბატარეა“, რომელიც ბუნებრივად მიღებულია ჩვეულებრივი ალუმინის უკანა ველის ბატარეის AL-BSF სტრუქტურიდან.სტრუქტურული თვალსაზრისით, ეს ორი შედარებით მსგავსია და PERC ბატარეას აქვს მხოლოდ ერთი უკანა პასივაციის ფენა, ვიდრე BSF ბატარეა (წინა თაობის ბატარეის ტექნოლოგია).უკანა პასივაციის წყობის ფორმირება PERC უჯრედს საშუალებას აძლევს შეამციროს უკანა ზედაპირის რეკომბინაციის სიჩქარე, ხოლო უკანა ზედაპირის სინათლის არეკვლა და უჯრედის კონვერტაციის ეფექტურობის გაუმჯობესება.

(2) განვითარების ისტორია: 2015 წლიდან შიდა PERC ბატარეები გადავიდა სწრაფი ზრდის ეტაპზე.2015 წელს, შიდა PERC ბატარეის წარმოების სიმძლავრემ მიაღწია პირველ ადგილს მსოფლიოში, რაც შეადგენს PERC ბატარეის წარმოების გლობალური სიმძლავრის 35%-ს.2016 წელს, ენერგეტიკის ეროვნული ადმინისტრაციის მიერ განხორციელებულმა "ფოტოელექტრული ტოპ მორბენალმა პროგრამამ" გამოიწვია PERC უჯრედების ინდუსტრიული მასობრივი წარმოების ოფიციალური დაწყება ჩინეთში, საშუალო ეფექტურობით 20,5%.2017 წელი გარდამტეხია ბაზრის წილის კუთხითფოტოელექტრული უჯრედები.ჩვეულებრივი უჯრედების საბაზრო წილი დაიწყო კლება.შიდა PERC უჯრედების ბაზრის წილი გაიზარდა 15%-მდე, ხოლო მისი წარმოების სიმძლავრე გაიზარდა 28.9 გვტ-მდე;

2018 წლიდან PERC ბატარეები გახდა მეინსტრიმი ბაზარზე.2019 წელს PERC უჯრედების ფართომასშტაბიანი მასობრივი წარმოება დაჩქარდება, მასობრივი წარმოების ეფექტურობით 22.3%, რაც შეადგენს წარმოების სიმძლავრის 50%-ზე მეტს, ოფიციალურად გადააჭარბებს BSF უჯრედებს და გახდება ყველაზე გავრცელებული ფოტოელექტრული უჯრედების ტექნოლოგია.CPIA-ს შეფასებით, 2022 წლისთვის PERC უჯრედების მასობრივი წარმოების ეფექტურობა 23.3%-ს მიაღწევს, ხოლო წარმოების სიმძლავრე 80%-ზე მეტს შეადგენს და ბაზრის წილი კვლავ პირველ ადგილზე იქნება.

4. TOPCon ბატარეა

(1) აღწერა:TOPCon ბატარეაანუ გვირაბის ოქსიდის ფენის პასივაციის საკონტაქტო უჯრედი მზადდება ბატარეის უკანა მხარეს ულტრა თხელი გვირაბის ოქსიდის ფენით და მაღალი დოპირებული პოლისილიციუმის თხელი ფენით, რომლებიც ერთად ქმნიან პასივაციის კონტაქტურ სტრუქტურას.2013 წელს იგი შემოთავაზებული იქნა გერმანიის ფრაუნჰოფერის ინსტიტუტის მიერ.PERC უჯრედებთან შედარებით, სუბსტრატად უნდა გამოიყენოთ n ტიპის სილიციუმი.p-ტიპის სილიკონის უჯრედებთან შედარებით, n-ტიპის სილიკონს აქვს უფრო გრძელი უმცირესობის გადამზიდავი სიცოცხლე, მაღალი კონვერტაციის ეფექტურობა და სუსტი შუქი.მეორე არის პასივაციის ფენის მომზადება (ულტრა თხელი სილიციუმის ოქსიდი SiO2 და დოპირებული პოლისილიკონის თხელი ფენა Poly-Si) ზურგზე, რათა შეიქმნას კონტაქტის პასივაციური სტრუქტურა, რომელიც მთლიანად იზოლირებს დოპირებული რეგიონს ლითონისგან, რამაც შეიძლება კიდევ უფრო შეამციროს უკანა მხარე. ზედაპირი.ზედაპირსა და მეტალს შორის უმცირესობის მატარებლის რეკომბინაციის ალბათობა აუმჯობესებს ბატარეის კონვერტაციის ეფექტურობას.